深圳创鑫兴电子科技有限公司

深圳新创鑫高科电子经营郑重承诺：只做原装！

产品型号:AP4835GM

封装:SOP-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±25

漏极电流Id(A):-9.2

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-3

功率PD(W):2.5

输入电容Ciss(PF):1175 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：16

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

上升时间Tr(ns):6.6 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):44 typ.

下降时间Tf(ns):34 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:-30V,-9.2A P-沟道增强型场效应晶体管