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产品信息
深圳新创鑫高科电子经营郑重承诺：只做原装！
产品型号:AP4835GM
封装:SOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):-9.2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-3
功率PD(W):2.5
输入电容Ciss(PF):1175 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：16
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):6.6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):44 typ.
下降时间Tf(ns):34 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-30V,-9.2A P-沟道增强型场效应晶体管